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PART · NANYA

NT5AD1024M8C3-JR

NT5AD1024M8C3-JR 是南亚科技(Nanya)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

DDR48Gbx83200 Mbps
Specifications

NT5AD1024M8C3-JR 规格参数

型号 Part No.NT5AD1024M8C3-JR
品牌 Brand南亚科技 Nanya(中国台湾 / Taiwan)
系列 SeriesDDR4 颗粒
品类 CategoryDDR4
容量 Density8Gb
位宽 Widthx8
速率 Speed3200 Mbps
电压 Voltage1.2 V
规格 SpecDDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200
典型应用 Application主存/工控颗粒 · 现货

参数依据公开资料整理,仅供选型参考;设计与下单请以 Nanya 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 NT5AD1024M8C3-JR 同属 DDR4、容量同为 8Gb,可作为替代评估的起点;封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
K4A8G085WC-BCWE三星 SamsungDDR4, 8Gb, 1GX8 ,3200主存/工控颗粒 · 现货
K4A8G085WC-BCTD三星 SamsungDDR4, 8Gb, 1GX8 ,2666主存/工控颗粒 · 现货
K4A8G085WB-BCRC三星 SamsungDDR4, 8Gb, 1GX8 ,2400主存/工控颗粒 · 现货
H5AG38EXNDX026NSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 1GbX8 3200Mbps主存/工控颗粒 · 现货
H5AN8G8NCJR-XNCSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 1GbX8 3200Mbps主存/工控颗粒 · 现货
H5AN8G8NDJR-VKCSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 1GbX8 2666Mbps主存/工控颗粒 · 现货
MT40A1G8SA-075:E美光 MicronDDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 2666主存/工控颗粒 · 现货
MT40A1G8SA-062E:R美光 MicronDDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200主存/工控颗粒 · 现货
Same Series

DDR4 颗粒 同系列型号

Insights

提到 NT5AD1024M8C3-JR 的选型文章

FAQ

常见问题

NT5AD1024M8C3-JR 是什么芯片?

NT5AD1024M8C3-JR 是南亚科技(Nanya)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

NT5AD1024M8C3-JR 有哪些替代型号?

同品类、同容量的跨品牌参考型号有:K4A8G085WC-BCWE(三星)、K4A8G085WC-BCTD(三星)、K4A8G085WB-BCRC(三星)、H5AG38EXNDX026N(SK海力士)、H5AN8G8NCJR-XNC(SK海力士)、H5AN8G8NDJR-VKC(SK海力士)。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序,晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 NT5AD1024M8C3-JR?

苏州晟雅泰电子有限公司(SUNTEC 晟雅泰)通过原厂及一级代理渠道供应 Nanya 产品,批次可追溯,常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量,或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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