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K4A8G085WC-BCTD 是三星（Samsung）DDR4 颗粒 系列，规格为 DDR4, 8Gb, 1GX8 ,2666，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
| 型号 Part No. | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|
| 品牌 Brand | 三星 Samsung（韩国 / Korea） |
| 系列 Series | DDR4 颗粒 |
| 品类 Category | DDR4 |
| 容量 Density | 8Gb |
| 位宽 Width | x8 |
| 速率 Speed | 2666 Mbps |
| 规格 Spec | DDR4, 8Gb, 1GX8 ,2666 |
| 典型应用 Application | 主存/工控颗粒 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。
以下型号与 K4A8G085WC-BCTD 同属 DDR4、容量同为 8Gb，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| H5AG38EXNDX026N | SK海力士 SK Hynix | DDR4, 8Gb, 1GbX8 3200Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H5AN8G8NCJR-XNC | SK海力士 SK Hynix | DDR4, 8Gb, 1GbX8 3200Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H5AN8G8NDJR-VKC | SK海力士 SK Hynix | DDR4, 8Gb, 1GbX8 2666Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT40A1G8SA-075:E | 美光 Micron | DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 2666 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT40A1G8SA-062E:R | 美光 Micron | DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT40A1G8SA-062E:E | 美光 Micron | DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| NT5AD1024M8C3-JR | 南亚科技 Nanya | DDR4, 8Gb, 1GX8, 1.2V, 3200 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
K4A8G085WC-BCTD 是三星（Samsung）DDR4 颗粒 系列，规格为 DDR4, 8Gb, 1GX8 ,2666，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：H5AG38EXNDX026N（SK海力士）、H5AN8G8NCJR-XNC（SK海力士）、H5AN8G8NDJR-VKC（SK海力士）、MT40A1G8SA-075:E（美光）、MT40A1G8SA-062E:R（美光）、MT40A1G8SA-062E:E（美光）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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