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PART · SAMSUNG

K4AAG085WA-BIWE

K4AAG085WA-BIWE 是三星(Samsung)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 16Gb, 2Gb*8, 3200Mbps, 1.2V,Ind.,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

DDR416Gbx83200 Mbps工业级
Specifications

K4AAG085WA-BIWE 规格参数

型号 Part No.K4AAG085WA-BIWE
品牌 Brand三星 Samsung(韩国 / Korea)
系列 SeriesDDR4 颗粒
品类 CategoryDDR4
容量 Density16Gb
位宽 Widthx8
速率 Speed3200 Mbps
电压 Voltage1.2 V
温度等级 Grade工业级
规格 SpecDDR4, 16Gb, 2Gb*8, 3200Mbps, 1.2V,Ind.
典型应用 Application主存/工控颗粒 · 现货

参数依据公开资料整理,仅供选型参考;设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 K4AAG085WA-BIWE 同属 DDR4、容量同为 16Gb,可作为替代评估的起点;封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
H5ANAG6NCMR-XNCSK海力士 SK Hynix16Gb DDR4大容量主存
H5AG48DXNDX116SK海力士 SK HynixDDR4, 16Gb, 2GbX8,3200Mbps D-die主存/工控颗粒 · 现货
H5ANAG8NCJR-XNCSK海力士 SK HynixDDR4, 16Gb, 2GbX8,3200Mbps C-die主存/工控颗粒 · 现货
MT40A1G16美光 Micron16Gb DDR4大容量主存
MT40A2G8SA-062E:F美光 MicronDDR4, 16Gb, 2GX8, 1.2V, 3200主存/工控颗粒 · 现货
MT40A2G8SA-062E IT:F美光 MicronDDR4, 16Gb, 2GX8, 1.2V, 3200, Ind.主存/工控颗粒 · 现货
Same Series

DDR4 颗粒 同系列型号

FAQ

常见问题

K4AAG085WA-BIWE 是什么芯片?

K4AAG085WA-BIWE 是三星(Samsung)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 16Gb, 2Gb*8, 3200Mbps, 1.2V,Ind.,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

K4AAG085WA-BIWE 有哪些替代型号?

同品类、同容量的跨品牌参考型号有:H5ANAG6NCMR-XNC(SK海力士)、H5AG48DXNDX116(SK海力士)、H5ANAG8NCJR-XNC(SK海力士)、MT40A1G16(美光)、MT40A2G8SA-062E:F(美光)、MT40A2G8SA-062E IT:F(美光)。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序,晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 K4AAG085WA-BIWE?

苏州晟雅泰电子有限公司(SUNTEC 晟雅泰)通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品,批次可追溯,常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量,或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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