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PART · MICRON

MT40A1G16KD-062E:E

MT40A1G16KD-062E:E 是美光(Micron)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 16Gb, 1GX16, 1.2V, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

DDR416Gbx163200 Mbps
Specifications

MT40A1G16KD-062E:E 规格参数

型号 Part No.MT40A1G16KD-062E:E
品牌 Brand美光 Micron(美国 / USA)
系列 SeriesDDR4 颗粒
品类 CategoryDDR4
容量 Density16Gb
位宽 Widthx16
速率 Speed3200 Mbps
电压 Voltage1.2 V
规格 SpecDDR4, 16Gb, 1GX16, 1.2V, 3200
典型应用 Application主存/工控颗粒 · 现货

参数依据公开资料整理,仅供选型参考;设计与下单请以 Micron 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 MT40A1G16KD-062E:E 同属 DDR4、容量同为 16Gb,可作为替代评估的起点;封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
K4AAG165WB-MCRC三星 Samsung16Gb DDR4大容量主存
K4AAG165WA-BCWE三星 SamsungDDR4, 16Gb, 1Gx16 ,3200主存/工控颗粒 · 现货
K4AAG165WC-BCWE三星 SamsungDDR4, 16Gb, 1Gx16 ,3200主存/工控颗粒 · 现货
H5ANAG6NCMR-XNCSK海力士 SK Hynix16Gb DDR4大容量主存
H5AG46DXNDX117SK海力士 SK HynixDDR4, 16Gb, 1GbX16,3200Mbps D-die主存/工控颗粒 · 现货
H5ANAG6NCJR-XNCSK海力士 SK HynixDDR4, 16Gb, 1GbX16,3200Mbps C-die主存/工控颗粒 · 现货
Same Series

DDR4 颗粒 同系列型号

Insights

提到 MT40A1G16KD-062E:E 的选型文章

FAQ

常见问题

MT40A1G16KD-062E:E 是什么芯片?

MT40A1G16KD-062E:E 是美光(Micron)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 16Gb, 1GX16, 1.2V, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

MT40A1G16KD-062E:E 有哪些替代型号?

同品类、同容量的跨品牌参考型号有:K4AAG165WB-MCRC(三星)、K4AAG165WA-BCWE(三星)、K4AAG165WC-BCWE(三星)、H5ANAG6NCMR-XNC(SK海力士)、H5AG46DXNDX117(SK海力士)、H5ANAG6NCJR-XNC(SK海力士)。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序,晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 MT40A1G16KD-062E:E?

苏州晟雅泰电子有限公司(SUNTEC 晟雅泰)通过原厂及一级代理渠道供应 Micron 产品,批次可追溯,常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量,或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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