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MT41K512M8DA-107 AAT:P 是美光（Micron）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 4Gb, 512X8, 1866, 20nm, Auto.，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
| 型号 Part No. | MT41K512M8DA-107 AAT:P |
|---|---|
| 品牌 Brand | 美光 Micron（美国 / USA） |
| 系列 Series | DDR3 颗粒 |
| 品类 Category | DDR3 |
| 容量 Density | 4Gb |
| 位宽 Width | x8 |
| 速率 Speed | 1866 Mbps |
| 温度等级 Grade | 车规级 |
| 规格 Spec | DDR3, 4Gb, 512X8, 1866, 20nm, Auto. |
| 典型应用 Application | 主存/工控颗粒 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Micron 原厂规格书为准。
以下型号与 MT41K512M8DA-107 AAT:P 同属 DDR3、容量同为 4Gb，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| K4B4G0846E-BCNB | 三星 Samsung | DDR3, 4Gb ,512*8 ,20nm,1.5v,2133 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| K4B4G0846E-BYMA | 三星 Samsung | DDR3, 4Gb ,512*8 ,1866Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H5TQ4G63CFR-RDC | SK海力士 SK Hynix | 4Gb DDR3 | 主存(老平台) |
| H5TQ4G83EFR-RDA | SK海力士 SK Hynix | DDR3, 4Gb, 512X8 1866Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H5TQ4G83EFR-RDC | SK海力士 SK Hynix | DDR3, 4Gb, 512X8 1866Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| NT5CC512M8EQ-EK | 南亚科技 Nanya | DDR3, 4Gb, 512X8, 1.35V, 1866 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| NT5CC512M8EQ-EKI | 南亚科技 Nanya | DDR3, 4Gb, 512X8, 1.35V, 1866 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
MT41K512M8DA-107 AAT:P 是美光（Micron）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 4Gb, 512X8, 1866, 20nm, Auto.，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：K4B4G0846E-BCNB（三星）、K4B4G0846E-BYMA（三星）、H5TQ4G63CFR-RDC（SK海力士）、H5TQ4G83EFR-RDA（SK海力士）、H5TQ4G83EFR-RDC（SK海力士）、NT5CC512M8EQ-EK（南亚科技）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Micron 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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