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K4B4G0846E-BCNB 是三星（Samsung）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 4Gb ,512*8 ,20nm,1.5v,2133，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
| 型号 Part No. | K4B4G0846E-BCNB |
|---|---|
| 品牌 Brand | 三星 Samsung（韩国 / Korea） |
| 系列 Series | DDR3 颗粒 |
| 品类 Category | DDR3 |
| 容量 Density | 4Gb |
| 位宽 Width | x8 |
| 速率 Speed | 2133 Mbps |
| 规格 Spec | DDR3, 4Gb ,512*8 ,20nm,1.5v,2133 |
| 典型应用 Application | 主存/工控颗粒 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。
以下型号与 K4B4G0846E-BCNB 同属 DDR3、容量同为 4Gb，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| H5TQ4G63CFR-RDC | SK海力士 SK Hynix | 4Gb DDR3 | 主存(老平台) |
| H5TQ4G83EFR-RDA | SK海力士 SK Hynix | DDR3, 4Gb, 512X8 1866Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H5TQ4G83EFR-RDC | SK海力士 SK Hynix | DDR3, 4Gb, 512X8 1866Mbps | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT41K256M8DA-125:K | 美光 Micron | DDR3, 4Gb, 256X8, 30nm, 1600, 1.35V | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT41K256M8DA-125 IT:K | 美光 Micron | DDR3, 4Gb, 256X8, 30nm, 1600, 1.35V | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT41K256M8DA-125 AIT:K | 美光 Micron | DDR3, 4Gb, 256X8, 30nm, 1600, 1.35V | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| NT5CC512M8EQ-EK | 南亚科技 Nanya | DDR3, 4Gb, 512X8, 1.35V, 1866 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| NT5CC512M8EQ-EKI | 南亚科技 Nanya | DDR3, 4Gb, 512X8, 1.35V, 1866 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
K4B4G0846E-BCNB 是三星（Samsung）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 4Gb ,512*8 ,20nm,1.5v,2133，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：H5TQ4G63CFR-RDC（SK海力士）、H5TQ4G83EFR-RDA（SK海力士）、H5TQ4G83EFR-RDC（SK海力士）、MT41K256M8DA-125:K（美光）、MT41K256M8DA-125 IT:K（美光）、MT41K256M8DA-125 AIT:K（美光）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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