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PART · MICRON

MT40A512M16TB-062E:R

MT40A512M16TB-062E:R 是美光(Micron)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4 8Gb, 512X16, 1.2V,FBGA, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

DDR48Gbx163200 Mbps
Specifications

MT40A512M16TB-062E:R 规格参数

型号 Part No.MT40A512M16TB-062E:R
品牌 Brand美光 Micron(美国 / USA)
系列 SeriesDDR4 颗粒
品类 CategoryDDR4
容量 Density8Gb
位宽 Widthx16
速率 Speed3200 Mbps
封装 PackageFBGA
电压 Voltage1.2 V
规格 SpecDDR4 8Gb, 512X16, 1.2V,FBGA, 3200
典型应用 Application主存/工控颗粒 · 现货

参数依据公开资料整理,仅供选型参考;设计与下单请以 Micron 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 MT40A512M16TB-062E:R 同属 DDR4、容量同为 8Gb,可作为替代评估的起点;封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
K4A8G165WC-BCTD三星 Samsung8Gb DDR4 x16 颗粒网通/视频/工控主存
K4A8G165WC-BCWE三星 SamsungDDR4, 8Gb, 512x16 ,3200主存/工控颗粒 · 现货
K4A8G165WG-BCWE三星 SamsungDDR4, 8Gb, 512x16 ,3200主存/工控颗粒 · 现货
H5AN8G6NDJR-XNCSK海力士 SK Hynix8Gb DDR4-3200 x16网通/工控/视频主存
H5AG36EXNDX017NSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 512X16 3200Mbps D-die主存/工控颗粒 · 现货
H5AN8G6NDJR-XNCRSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 512X16 3200Mbps主存/工控颗粒 · 现货
NT5AD512M16C4-JR南亚科技 Nanya8Gb DDR4 x16工控/安防/网通主存
NT5AD512M16C4-JRI南亚科技 NanyaDDR4, 8Gb, 512MX16, 3200主存/工控颗粒 · 现货
Same Series

DDR4 颗粒 同系列型号

Insights

提到 MT40A512M16TB-062E:R 的选型文章

FAQ

常见问题

MT40A512M16TB-062E:R 是什么芯片?

MT40A512M16TB-062E:R 是美光(Micron)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4 8Gb, 512X16, 1.2V,FBGA, 3200,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

MT40A512M16TB-062E:R 有哪些替代型号?

同品类、同容量的跨品牌参考型号有:K4A8G165WC-BCTD(三星)、K4A8G165WC-BCWE(三星)、K4A8G165WG-BCWE(三星)、H5AN8G6NDJR-XNC(SK海力士)、H5AG36EXNDX017N(SK海力士)、H5AN8G6NDJR-XNCR(SK海力士)。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序,晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 MT40A512M16TB-062E:R?

苏州晟雅泰电子有限公司(SUNTEC 晟雅泰)通过原厂及一级代理渠道供应 Micron 产品,批次可追溯,常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量,或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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