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PART · SAMSUNG

K4A8G165WC-BITD

K4A8G165WC-BITD 是三星(Samsung)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 8Gb, 512x16 ,2666, Ind,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

DDR48Gbx162666 Mbps工业级
Specifications

K4A8G165WC-BITD 规格参数

型号 Part No.K4A8G165WC-BITD
品牌 Brand三星 Samsung(韩国 / Korea)
系列 SeriesDDR4 颗粒
品类 CategoryDDR4
容量 Density8Gb
位宽 Widthx16
速率 Speed2666 Mbps
温度等级 Grade工业级
规格 SpecDDR4, 8Gb, 512x16 ,2666, Ind
典型应用 Application主存/工控颗粒 · 现货

参数依据公开资料整理,仅供选型参考;设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 K4A8G165WC-BITD 同属 DDR4、容量同为 8Gb,可作为替代评估的起点;封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
H5AN8G6NDJR-XNCSK海力士 SK Hynix8Gb DDR4-3200 x16网通/工控/视频主存
H5AG36EXNDX017NSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 512X16 3200Mbps D-die主存/工控颗粒 · 现货
H5AN8G6NDJR-XNCRSK海力士 SK HynixDDR4, 8Gb, 512X16 3200Mbps主存/工控颗粒 · 现货
MT40A512M16美光 Micron8Gb DDR4 x16,工业宽温工控/网通/安防主存
MT40A512M16LY-062E:E美光 MicronDDR4, 8Gb, 512X16, 1.2V,FBGA, 3200主存/工控颗粒 · 现货
MT40A512M16LY-062E IT:E美光 MicronDDR4, 8Gb, 512X16, 1.2V,FBGA, 3200, Ind.主存/工控颗粒 · 现货
NT5AD512M16C4-JR南亚科技 Nanya8Gb DDR4 x16工控/安防/网通主存
NT5AD512M16C4-JRI南亚科技 NanyaDDR4, 8Gb, 512MX16, 3200主存/工控颗粒 · 现货
Same Series

DDR4 颗粒 同系列型号

FAQ

常见问题

K4A8G165WC-BITD 是什么芯片?

K4A8G165WC-BITD 是三星(Samsung)DDR4 颗粒 系列,规格为 DDR4, 8Gb, 512x16 ,2666, Ind,常用于主存/工控颗粒 · 现货。

K4A8G165WC-BITD 有哪些替代型号?

同品类、同容量的跨品牌参考型号有:H5AN8G6NDJR-XNC(SK海力士)、H5AG36EXNDX017N(SK海力士)、H5AN8G6NDJR-XNCR(SK海力士)、MT40A512M16(美光)、MT40A512M16LY-062E:E(美光)、MT40A512M16LY-062E IT:E(美光)。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序,晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 K4A8G165WC-BITD?

苏州晟雅泰电子有限公司(SUNTEC 晟雅泰)通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品,批次可追溯,常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量,或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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