校准值、序列号、MAC、运行计数这类小参数，到底该存 EEPROM 还是 NOR Flash？本文讲清两者在擦写粒度、寿命、写入耗时与掉电风险上的本质差别，附华邦 W25X/W25Q、Microchip 24LC/25LC、ST M24C/M95 真实型号与选型要点，帮硬件与嵌入式工程师避开"拿 Flash 当 EEPROM 用"的量产大坑。
存几十字节的校准值、序列号、MAC 地址、开机次数，还是存几 MB 的固件、字库、图片？这决定了你该用 EEPROM 还是 NOR Flash。一句话：写得频繁、每次写得少 → 选串行 EEPROM（可按字节直接改写、寿命 100 万～400 万次）；容量需求大、以读为主、偶尔整块更新 → 选小容量 SPI NOR Flash（4KB 扇区、10 万次擦写、单位容量便宜十倍以上）。最常见的错误是拿 NOR Flash 当 EEPROM 用来做高频计数器——写一个字节要擦掉整个 4KB 扇区，几个月就把扇区写坏，还可能在掉电瞬间丢掉整块数据。
| 维度 | 串行 EEPROM（I²C / SPI） | 小容量串行 NOR Flash（SPI） |
|---|---|---|
| 典型容量 | 1Kb – 1Mb（128B – 128KB） | 512Kb – 128Mb（64KB – 16MB） |
| 接口 | I²C 两线，或 SPI 四线 | 标准 SPI / Dual / Quad SPI |
| 写入粒度 | 可按字节或页直接改写，无需先擦除 | 必须先擦除扇区（最小 4KB）才能写 |
| 擦除单位 | 不需要独立擦除操作 | 4KB 扇区 / 32KB、64KB 块 / 整片 |
| 擦写寿命 | 100 万 – 400 万次（按字节/页） | 约 10 万次（按扇区） |
| 数据保持 | ≥ 100 – 200 年 | ≥ 20 年 |
| 单次写耗时 | 页写自定时，约 3.4 – 5 ms | 页编程（256B）典型 0.7 ms，但扇区擦除典型 45 ms、最大可达数百 ms |
| 读取速度 | I²C 100k/400k/1MHz；SPI 约 5 – 20 MHz | 标准 SPI 50 – 133 MHz，Quad 模式带宽再翻数倍 |
| 能否放代码 / XIP | 否，只做数据 | 可以（QSPI XIP、Bootloader、字库、FPGA 配置） |
| 单位容量成本 | 高（按 Kb 计价） | 低（按 Mb 计价） |
| 掉电风险 | 低，页写为自定时原子操作 | 较高，扇区擦除耗时长，掉电可能损坏整个扇区 |
| 典型用途 | 校准参数、序列号、MAC、配置项、运行计数 | 固件 / Bootloader、字库、图片、日志、FPGA 配置码流 |
EEPROM 的每个字节都可以单独改写，控制器内部自己完成"擦 + 写"，主控发一条写命令，等几毫秒即可。NOR Flash 的物理特性决定了只能把 1 写成 0，把 0 变回 1 必须整块擦除——所以改写 1 个字节，要么这块区域还是"空白"（0xFF）可以直接编程，要么就得先擦掉整个 4KB 扇区。
这带来三个后果：
如果确实要用 NOR Flash 存参数，正确做法是：至少两个扇区做乒乓（A/B）写 + 每条记录带 CRC 校验 + 追加式（append-only）写入，写满一个扇区再擦另一个。等于自己实现一个简易的 EEPROM 仿真层。
以下均为在产的真实型号，具体电压档、温度等级与封装以官方 datasheet 为准。
| 类型 | 品牌 | 型号 | 容量 | 接口 | 关键规格 |
|---|---|---|---|---|---|
| I²C EEPROM | Microchip | 24LC256 / 24AA256 / 24FC256 | 256Kb（32KB） | I²C | 1M 次擦写、>200 年保持、64 字节页；24LC 400kHz、24FC 1MHz、24AA 可低至 1.7V |
| I²C EEPROM | Microchip | 24LC02B / 24LC64 | 2Kb / 64Kb | I²C | 小参数区最常用的两档，生态成熟、料源多 |
| I²C EEPROM | ST | M24C02 / M24C64 | 2Kb / 64Kb | I²C | >4M 次擦写、32 字节页、支持 1MHz 快速模式；M24C64-A125 为车规宽温版 |
| SPI EEPROM | ST | M95256 | 256Kb（32KB） | SPI | 1M 次擦写、64 字节页，适合已有 SPI 总线、不想再引 I²C 的板子 |
| SPI EEPROM | Microchip | 25LC256 | 256Kb（32KB） | SPI | 1M 次擦写、64 字节页，与 M95256 功能对位 |
| SPI NOR | Winbond 华邦 | W25X20CL / W25X40CL | 2Mb / 4Mb | SPI / Dual | 4KB 扇区、256 字节页、2.3–3.6V，小容量 Bootloader / 参数区的便宜之选 |
| SPI NOR | Winbond 华邦 | W25Q16JV / W25Q32JV / W25Q64JV / W25Q128JV | 16 / 32 / 64 / 128Mb | Quad SPI | 4KB 扇区、100K 次擦写、>20 年保持；应用最广的 QSPI NOR 家族 |
| SPI NOR | Microchip | SST26VF016B / SST26VF064B | 16Mb / 64Mb | SQI（Quad） | SuperFlash 工艺，小扇区、擦除快，适合参数与代码混合存储 |
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核心差别是擦写粒度。EEPROM 可以按字节或按页（16–64 字节）直接改写，不需要单独擦除，寿命通常 100 万～400 万次，数据保持 100 年以上；NOR Flash 只能把 1 写成 0，要把 0 变回 1 必须擦除整个扇区（最小 4KB），寿命约 10 万次/扇区、保持 20 年以上。所以 EEPROM 适合小而频繁的参数改写，NOR Flash 适合大容量、以读为主、整块更新的固件与字库。
可以，但必须自己做管理层。写 4 个字节参数会消耗整个 4KB 扇区一次擦写寿命，且扇区擦除典型 45 ms、最大可达数百毫秒，中途掉电整个扇区都可能损坏。正确做法是：至少两个扇区做乒乓（A/B）写、每条记录带 CRC 校验、采用追加式写入，写满再擦另一个扇区。写得不频繁的场景这样做没问题；高频写建议直接外挂一颗 EEPROM。
大体可以。24Cxx 是行业通用的 I²C EEPROM 生态，Microchip 24LC/24AA、ST M24C 等在封装与引脚上兼容，替换时重点核对三件事：页大小（Microchip 24LC256 为 64 字节、ST M24C64 为 32 字节，写驱动要跟着改）、最大写周期时间（一般 3.4–5 ms）、以及 WP 写保护脚与 A0–A2 地址脚的行为。电压范围与温度等级也要对齐。
写得不频繁才靠谱。多数 STM32 F 系列内部 Flash 擦写寿命只有约 1 万次，扇区还很大（F4 高地址区可达 128KB），擦除期间 CPU 从 Flash 取指会被阻塞，实时性受影响。如果参数需要频繁改写，外挂一颗 24C02/24C64 EEPROM 成本极低却省掉大量返修风险；或者选用 STM32L0/L1 这类自带真正 data EEPROM 的型号。
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