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NT5CC64M16GP-DI 是南亚科技（Nanya）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 1Gb, 64M x 16, 1.45V，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
| 型号 Part No. | NT5CC64M16GP-DI |
|---|---|
| 品牌 Brand | 南亚科技 Nanya（中国台湾 / Taiwan） |
| 系列 Series | DDR3 颗粒 |
| 品类 Category | DDR3 |
| 容量 Density | 1Gb |
| 位宽 Width | x16 |
| 电压 Voltage | 1.45 V |
| 规格 Spec | DDR3, 1Gb, 64M x 16, 1.45V |
| 典型应用 Application | 主存/工控颗粒 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Nanya 原厂规格书为准。
以下型号与 NT5CC64M16GP-DI 同属 DDR3、容量同为 1Gb，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| K4B1G1646I-BCNB | 三星 Samsung | DDR3, 1Gb, 64X16,2133 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| K4B1G1646I-BYMA | 三星 Samsung | DDR3, 1Gb, 64X16,1866 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| K4B1G1646I-BMMA | 三星 Samsung | DDR3, 1Gb, 64X16,1866, Ind | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT41K64M16TW-107:J | 美光 Micron | DDR3, 1Gb, 64X16, 1.35V, 1866, 30nm | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| MT41K64M16TW-107 IT:J | 美光 Micron | DDR3, 1Gb, 64X16, 1.35V, 1866, 30nm,ind | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| W631GU6NB-12 | 华邦 Winbond | DDR3L, 1Gb, 64M*16 | 主存/工控颗粒 · 现货 |
NT5CC64M16GP-DI 是南亚科技（Nanya）DDR3 颗粒 系列，规格为 DDR3, 1Gb, 64M x 16, 1.45V，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：K4B1G1646I-BCNB（三星）、K4B1G1646I-BYMA（三星）、K4B1G1646I-BMMA（三星）、MT41K64M16TW-107:J（美光）、MT41K64M16TW-107 IT:J（美光）、W631GU6NB-12（华邦）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Nanya 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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