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PART · MICRON

NAND512R3A2SZA6E

NAND512R3A2SZA6E 是美光（Micron）NAND Flash 系列，规格为 Nand, 512Mb, SLC, 1.8V, VFBGA，常用于原厂正品 · 现货供应。

NAND Flash512Mb

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Specifications

NAND512R3A2SZA6E 规格参数

型号 Part No.	NAND512R3A2SZA6E
品牌 Brand	美光 Micron（美国 / USA）
系列 Series	NAND Flash
品类 Category	NAND Flash
容量 Density	512Mb
封装 Package	VFBGA
电压 Voltage	1.8 V
规格 Spec	Nand, 512Mb, SLC, 1.8V, VFBGA
典型应用 Application	原厂正品 · 现货供应

参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Micron 原厂规格书为准。

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MT29F16G08ABACAWP-ITZ:CNand, 16Gb, SLC, TSOP, 3.3V, 25nm, TSOP, 8-bit MT29F8G08ABACAWP-IT:CNand, 8Gb, SLC, TSOP, 3.3V, 25nm, 8-bit ECC, Ind.MT29F8G08ABACAH4-IT:CNand, 8Gb, SLC, 63/120 VFBGA 1 IT MT29F1G08ABAEAWP:ENand, 1Gb, SLC, 3.3V, 34nm, TSOP, 4-bit ECC MT29F1G08ABAEAH4:ENand, 1Gb, SLC, 3.3V, 34nm, BGA, 4-bit MT29F1G08ABAEAWP-IT:ENand, 1Gb, SLC, 3.3V, 34nm, TSOP, 4-bit ECC, Ind.MT29F2G01ABAGDWB-IT:GNand, 2Gb, SLC, 8/8 UPDFN 1 IT MT29F2G08ABAGAWP-IT:GNand, 2Gb, SLC, 3.3V, 25nm, TSOP, Ind.MT29F2G08ABAEAWP:ENand, 2Gb, SLC, 3.3V, 34nm, TSOP, 4-bit or On-die ECC MT29F2G08ABAEAWP-IT:ENand, 2Gb, SLC, 3.3V, 34nm, TSOP, 4-bit or On-die ECC, Ind.MT29F2G08ABAGAH4-IT:GNand, 2Gb, SLC, 3.3V, VFBGA, Ind.MT29F4G01ABAFDWB-IT:FNand, 4Gb, SLC, 3.3V, UPDFN, Ind.

FAQ

常见问题

NAND512R3A2SZA6E 是什么芯片？

NAND512R3A2SZA6E 是美光（Micron）NAND Flash 系列，规格为 Nand, 512Mb, SLC, 1.8V, VFBGA，常用于原厂正品 · 现货供应。

NAND512R3A2SZA6E 有哪些替代型号？

可先参考同系列型号：MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C、MT29F8G08ABACAWP-IT:C、MT29F8G08ABACAH4-IT:C、MT29F1G08ABAEAWP:E。跨品牌替代可提交型号与应用需求，由晟雅泰 FAE 评估。

如何采购 NAND512R3A2SZA6E？

苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Micron 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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