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PART · MICRON

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 是美光（Micron）LPDDR4/4X 颗粒 系列，规格为 LPDDR4, 2GB/(16Gb), 512X32, 1.1V, TFBGA, 4266, Auto.，常用于低功耗/嵌入式主存 · 现货。

LPDDR42GBx324266 Mbps车规级
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Specifications

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 规格参数

型号 Part No.MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
品牌 Brand美光 Micron（美国 / USA）
系列 SeriesLPDDR4/4X 颗粒
品类 CategoryLPDDR4
容量 Density2GB
位宽 Widthx32
速率 Speed4266 Mbps
封装 PackageTFBGA
电压 Voltage1.1 V
温度等级 Grade车规级
规格 SpecLPDDR4, 2GB/(16Gb), 512X32, 1.1V, TFBGA, 4266, Auto.
典型应用 Application低功耗/嵌入式主存 · 现货

参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Micron 原厂规格书为准。

Cross Reference

跨品牌替代参考

以下型号与 MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 同属 LPDDR4、容量同为 2GB，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。

型号 Part No.品牌 Brand规格 Spec典型应用 Application
K4F6E304HB-MGCJ三星 SamsungLPDDR4, 2GB/(16Gb), 200balls低功耗/嵌入式主存 · 现货
K4F6E3S4HM-MGCJ三星 SamsungLPDDR4, 2GB/(16Gb), 200balls低功耗/嵌入式主存 · 现货
H9HCNNNBKUMLXR-NEESK海力士 SK HynixLPDDR4, 16Gb(2GB), 4266Mbps 200Ball低功耗/嵌入式主存 · 现货
Same Series

LPDDR4/4X 颗粒 同系列型号

MT53E4G32D8CY-046 WT:CLPDDR4, 16GB/(128Gb), 4GX32, 1.1V, TFBGA, 4266MT53E2G32D4NQ-046 WT:CLPDDR4, 8GB/(64Gb), 2GX32, 1.1V, VFBGA, 4266MT53E2G32D4DE-046 WT:CLPDDR4, 8GB/(64Gb), 2GX32, 1.1V, VFBGA, 4266MT53E1536M32D4DE-046 WT:CLPDDR4 6GB/48Gbit 1536X32 200/264 TFBGA 4266MTPSMT53E1536M32D4DE-046 AIT:CLPDDR4, 6GB/(48Gb), X32, 1.1V, TFBGA, 4266, Auto.MT53E1536M32D4DE-046 AAT:ALPDDR4 6GB/48Gbit 1536X32 200/264 TFBGA AT, 4266MTPS, Auto.MT53E1G32D2NP-046 WT:BLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 4266MT53E1G32D2FW-046 WT:BLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 1.1V, TFBGA, 4266MT53E1G32D2FW-046 IT:BLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 1.1V, TFBGA, 4266, Ind.MT53E1G32D2FW-046 AIT:BLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 1.1V, TFBGA, 4266, Auto.MT53D1024M32D4DT-053 WT:DLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1024X32, 1.1V, VFBGA, 3733MT53D1024M32D4DT-046 WT:DLPDDR4, 4GB/(32Gb), 1024X32, 1.1V, VFBGA, 4266
Insights

提到 MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 的选型文章

选型指南2026-08-28

5G CPE 与边缘网关的 LPDDR4X 主存怎么定：三星 K4U8E3S4AD-MGCL、美光 MT53E512M32D1ZW-046 IT:B、华邦 W66DP2RQQAGJ、南亚 NT6AP256T32AV-J2 的产品分层

做 5G CPE、边缘网关、无线接入终端时，主存不是简单的“容量越大越好”。关键是让容量、位宽、封装和主控接口与产品定位同步。本文围绕三星、美光、华邦、南亚四组 LPDDR4/LPDDR4X 真实料号，给出从入门型网关到功能更丰富 CPE 的主存方向，便于新项目快速建立可询价的物料候选表。
FAQ

常见问题

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 是什么芯片？

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 是美光（Micron）LPDDR4/4X 颗粒 系列，规格为 LPDDR4, 2GB/(16Gb), 512X32, 1.1V, TFBGA, 4266, Auto.，常用于低功耗/嵌入式主存 · 现货。

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B 有哪些替代型号？

同品类、同容量的跨品牌参考型号有：K4F6E304HB-MGCJ（三星）、K4F6E3S4HM-MGCJ（三星）、H9HCNNNBKUMLXR-NEE（SK海力士）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。

如何采购 MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B？

苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Micron 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。

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