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K4ZAF325BM-HC16 是三星（Samsung）存储器件 系列的 GDDR6，规格为 GDDR6, 16Gb, 512*32, 16.0Gbp，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
| 型号 Part No. | K4ZAF325BM-HC16 |
|---|---|
| 品牌 Brand | 三星 Samsung（韩国 / Korea） |
| 系列 Series | 存储器件 |
| 品类 Category | GDDR6 |
| 容量 Density | 16Gb |
| 位宽 Width | x32 |
| 规格 Spec | GDDR6, 16Gb, 512*32, 16.0Gbp |
| 典型应用 Application | 主存/工控颗粒 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。
以下型号与 K4ZAF325BM-HC16 同属 GDDR6、容量同为 16Gb，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| H56G42AS8DX014 | SK海力士 SK Hynix | GDDR6, 16Gb 10.0GHz FCBGA | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H56G42AS4DX014 | SK海力士 SK Hynix | GDDR6, 16Gb 8.0GHz FCBGA | 主存/工控颗粒 · 现货 |
| H56G42AS2DX014 | SK海力士 SK Hynix | GDDR6, 16Gb 7.0GHz FCBGA | 主存/工控颗粒 · 现货 |
K4ZAF325BM-HC16 是三星（Samsung）存储器件 系列的 GDDR6，规格为 GDDR6, 16Gb, 512*32, 16.0Gbp，常用于主存/工控颗粒 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：H56G42AS8DX014（SK海力士）、H56G42AS4DX014（SK海力士）、H56G42AS2DX014（SK海力士）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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