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K4FBE3D4HM-MGCJ 是三星（Samsung）LPDDR4/4X 颗粒 系列，规格为 LPDDR4, 4GB/(32Gb), 200balls，常用于低功耗/嵌入式主存 · 现货。
| 型号 Part No. | K4FBE3D4HM-MGCJ |
|---|---|
| 品牌 Brand | 三星 Samsung（韩国 / Korea） |
| 系列 Series | LPDDR4/4X 颗粒 |
| 品类 Category | LPDDR4 |
| 容量 Density | 4GB |
| 封装 Package | 200balls |
| 规格 Spec | LPDDR4, 4GB/(32Gb), 200balls |
| 典型应用 Application | 低功耗/嵌入式主存 · 现货 |
参数依据公开资料整理，仅供选型参考；设计与下单请以 Samsung 原厂规格书为准。
以下型号与 K4FBE3D4HM-MGCJ 同属 LPDDR4、容量同为 4GB，可作为替代评估的起点；封装、速率、电压、温度等级与时序需按规格书逐项核对。
| 型号 Part No. | 品牌 Brand | 规格 Spec | 典型应用 Application |
|---|---|---|---|
| H9HCNNNCPUMLXR-NEE | SK海力士 SK Hynix | LPDDR4, 32Gb(4GB), 4266Mbps 200Ball | 低功耗/嵌入式主存 · 现货 |
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B | 美光 Micron | LPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 4266 | 低功耗/嵌入式主存 · 现货 |
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | 美光 Micron | LPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 1.1V, TFBGA, 4266 | 低功耗/嵌入式主存 · 现货 |
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | 美光 Micron | LPDDR4, 4GB/(32Gb), 1GX32, 1.1V, TFBGA, 4266, Ind. | 低功耗/嵌入式主存 · 现货 |
K4FBE3D4HM-MGCJ 是三星（Samsung）LPDDR4/4X 颗粒 系列，规格为 LPDDR4, 4GB/(32Gb), 200balls，常用于低功耗/嵌入式主存 · 现货。
同品类、同容量的跨品牌参考型号有：H9HCNNNCPUMLXR-NEE（SK海力士）、MT53E1G32D2NP-046 WT:B（美光）、MT53E1G32D2FW-046 WT:B（美光）、MT53E1G32D2FW-046 IT:B（美光）。替代前需按规格书核对封装、速率、电压、温度等级与时序，晟雅泰 FAE 可协助评估。
苏州晟雅泰电子有限公司（SUNTEC 晟雅泰）通过原厂及一级代理渠道供应 Samsung 产品，批次可追溯，常规询价工作日 24 小时内回复报价与交期。可在本页提交型号与数量，或将 BOM 发送至 suntec@szsuntec.cn。
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